偏鎢酸銨半導(dǎo)體

偏鎢酸銨半導(dǎo)體并不存在,因為偏鎢酸銨(AMT)本身不具有半導(dǎo)體特性,它是指偏鎢酸銨用于制備三氧化鎢(WO3)半導(dǎo)體,是半導(dǎo)體和電子工業(yè)中生產(chǎn)WO3以及金屬鎢的一種重要的中間產(chǎn)品。
偏鎢酸銨用于電子行業(yè)主要有電容器、屏蔽件和半導(dǎo)體設(shè)備的薄膜襯底等的制備。偏鎢酸銨常作為鎢源,通過加入特定配比的其它原料(如檸檬酸和硫酸鈉)制備三氧化鎢半導(dǎo)體。WO3是一種具有六方、立方等多種對稱型結(jié)構(gòu)的η型半導(dǎo)體材料,由于具有優(yōu)異的電致變色、氣致變色和光致變色特色、光催化性能、氣敏性等特殊性能而備受關(guān)注。
偏鎢酸銨用于半導(dǎo)體設(shè)備的薄膜襯底主要是起支撐和改善薄膜特性的作用。因為襯底材料性質(zhì)和襯底表面形狀對薄膜的特性有很大的影響,而生長在襯底上的薄膜,一般要求其厚度在納米至微米之間,故而要求襯底表面有超高平整度;因而,薄膜和襯底的結(jié)合是一個非常重要的方面,如果兩者晶格不匹配,則在薄膜形成初期階段會形成一個較長的過渡區(qū)域。







